FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
19MT050XF
Модель：
19MT050XF
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 4N-CH 500V 31A 16MTP
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 500V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 6V @ 250µA
- Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V
- Пакет/кейс 16-MTP Module
- Пакет устройств поставщика 16-MTP
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 31A
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 160nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7210pF @ 25V
- Мощность - Макс. 1140W
