FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
AO5600E
Модель：
AO5600E
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SC89-6
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация N and P-Channel
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 45pF @ 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 600mA, 500mA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1nC @ 4.5V
- Мощность - Макс. 380mW
- Пакет устройств поставщика SC-89-6
