AO5803E

AO5803E

Модель: AO5803E
Описание: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
  • Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
  • Мощность - Макс. 400mW
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SC-89-6
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 100pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 800mOhm @ 600mA, 4.5V