FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
AON2809
Модель：
AON2809
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
- Пакет устройств поставщика 6-DFN (2x2)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V
- Мощность - Макс. 2.1W
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 68mOhm @ 2A, 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 415pF @ 6V
