FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
AON5810
Модель：
AON5810
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-WFDFN Exposed Pad
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Мощность - Макс. 1.6W
- Пакет устройств поставщика 6-DFN-EP (2x5)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.7A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.7A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13.1nC @ 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1360pF @ 10V
