FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTC60AM45BC1G
Модель：
APTC60AM45BC1G
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600V
- Конфигурация 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 49A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 24.5A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 3mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 150nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7200pF @ 25V
- Мощность - Макс. 250W
- Пакет/кейс SP1
- Пакет устройств поставщика SP1
