MG1275W-XBN2MM
Wickmann / Littelfuse
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTGT100A120D1G
Модель：
APTGT100A120D1G
Категории товаров：
БТИЗ-модули
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Вход Standard
- Тип БТИЗ Trench Field Stop
- НТЦ-термистор No
- Конфигурация Half Bridge
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 3 mA
- Входная емкость (Cies) при Vce 7 nF @ 25 V
- Пакет/кейс D1
- Пакет устройств поставщика D1
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 150 A
- Мощность - Макс. 520 W
