APTGV15H120T3G

APTGV15H120T3G

Модель: APTGV15H120T3G
Категории товаров: БТИЗ-модули
Бренд: Microsemi Corporation
Описание: IGBT MODULE 1200V 25A 115W SP3
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: -
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Мощность - Макс. 115 W
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
  • Вход Standard
  • НТЦ-термистор Yes
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 250 µA
  • Пакет/кейс SP3
  • Пакет устройств поставщика SP3
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 25 A
  • Конфигурация Full Bridge Inverter
  • Тип БТИЗ NPT, Trench Field Stop
  • Входная емкость (Cies) при Vce 1.1 nF @ 25 V