FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTM100A12STG
Модель：
APTM100A12STG
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Microsemi Corporation
Описание：
MOSFET 2N-CH 1000V 68A SP3
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 10mA
- Пакет/кейс SP3
- Пакет устройств поставщика SP3
- Мощность - Макс. 1250W
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 68A
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1000V (1kV)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 34A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 616nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 17400pF @ 25V
