FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
APTM120H29FG
Модель：
APTM120H29FG
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Пакет устройств поставщика SP6
- Пакет/кейс SP6
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
- Мощность - Макс. 780W
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 5mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 348mOhm @ 17A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 374nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10300pF @ 25V
