APTMC120AM16CD3AG

APTMC120AM16CD3AG

Модель: APTMC120AM16CD3AG
Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии Silicon Carbide (SiC)
  • Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • Пакет/кейс D-3 Module
  • Пакет устройств поставщика D3
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 131A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 100A, 20V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 5mA (Typ)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 246nC @ 20V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4750pF @ 1000V
  • Мощность - Макс. 625W