FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
AUIRF7379QTR
Модель：
AUIRF7379QTR
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация N and P-Channel
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 520pF @ 25V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.8A, 4.3A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V
- Мощность - Макс. 2.5W
