FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
BSM180D12P2C101
Модель：
BSM180D12P2C101
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Инкапсуляция：
Bulk
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Пакет/кейс Module
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет устройств поставщика Module
- Технологии Silicon Carbide (SiC)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 204A (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 35.2mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 23000pF @ 10V
- Мощность - Макс. 1130W
