FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Пакет/кейс Module
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет устройств поставщика Module
- Технологии Silicon Carbide (SiC)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Мощность - Макс. 925W
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 193A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 120A, 20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 6mA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 378nC @ 20V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6470pF @ 800V
