FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Пакет устройств поставщика Module
- Технологии Silicon Carbide (SiC)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 423A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1025nC @ 20V
- Пакет/кейс Module, Screw Terminals
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 300A, 20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 15mA (Typ)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 19500pF @ 800V
- Мощность - Макс. 1660W
