FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
CSD88539ND
Модель：
CSD88539ND
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Texas Instruments
Описание：
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15A
- Мощность - Макс. 2.1W
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.4nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 741pF @ 30V
