FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN2014LHAB-7
Модель：
DMN2014LHAB-7
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-UFDFN Exposed Pad
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
- Мощность - Макс. 800mW
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16nC @ 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1550pF @ 10V
- Пакет устройств поставщика U-DFN2030-6 (Type B)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V
