FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
DMN2016UTS-13
Модель：
DMN2016UTS-13
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Описание：
MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-TSSOP
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.58A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1495pF @ 10V
- Мощность - Макс. 880mW
