FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
EFC6601R-TR
Модель：
EFC6601R-TR
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Мощность - Макс. 2W
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 48nC @ 4.5V
- Пакет/кейс 6-XFBGA, FCBGA
- Пакет устройств поставщика EFCP2718-6CE-020
