FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
EM6J1T2R
Модель：
EM6J1T2R
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Мощность - Макс. 150mW
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Пакет устройств поставщика EMT6
- Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 115pF @ 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
