FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
EM6M1T2R
Модель：
EM6M1T2R
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация N and P-Channel
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Мощность - Макс. 150mW
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Пакет устройств поставщика EMT6
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13pF @ 5V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V, 20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100mA, 200mA
