FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
EM6M2T2R
Модель：
EM6M2T2R
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Конфигурация N and P-Channel
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Мощность - Макс. 150mW
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Пакет устройств поставщика EMT6
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 25pF @ 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1Ohm @ 200mA, 4V
