FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Дружеские ссылки
Sitemap
FDMD8280
Модель：
FDMD8280
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWER
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Мощность - Макс. 1W
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44nC @ 10V
- Пакет/кейс 12-PowerWDFN
- Пакет устройств поставщика 12-Power3.3x5
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 11A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3050pF @ 40V
