FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
FDMS3626S
Модель：
FDMS3626S
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET 2N-CH 25V 17.5/25A PWR56
Инкапсуляция：
Cut Tape (CT)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Пакет устройств поставщика Power56
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Мощность - Макс. 1W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1570pF @ 13V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17.5A, 25A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V
