FDMS8090

FDMS8090

Модель: FDMS8090
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27nC @ 10V
  • Пакет устройств поставщика 8-MLP (5x6), Power56
  • Мощность - Макс. 2.2W
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1800pF @ 50V