GB100XCP12-227

GB100XCP12-227

Модель: GB100XCP12-227
Категории товаров: БТИЗ-модули
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: IGBT MODULE 1200V 100A SOT227
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: -
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
  • Конфигурация Single
  • Вход Standard
  • Тип БТИЗ PT
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A
  • Пакет устройств поставщика SOT-227
  • НТЦ-термистор No
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 mA
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 A
  • Пакет/кейс SOT-227-4
  • Входная емкость (Cies) при Vce 8.55 nF @ 25 V