FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
GPA030A135MN-FDR
Модель：
GPA030A135MN-FDR
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Бренд：
SemiQ
Описание：
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип БТИЗ Trench Field Stop
- Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
- Тип ввода Standard
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 60 A
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 90 A
- Пакет устройств поставщика TO-3PN
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1350 V
- Время обратного восстановления (trr) 450 ns
- Мощность - Макс. 329 W
- Td (вкл/выкл) при 25°C 30ns/145ns
- Заряд от ворот 300 nC
- Условия испытания 600V, 30A, 5Ohm, 15V
- Переключение энергии 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
