Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
БТИЗ
/
Одиночные IGBT
/
GPI040A060MN-FD
GPI040A060MN-FD
Модель:
GPI040A060MN-FD
Категории товаров:
Одиночные IGBT
Бренд:
SemiQ
Описание:
IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Инкапсуляция:
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Материалы
Количество
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Through Hole
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип БТИЗ
Trench Field Stop
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
600 V
Пакет/кейс
TO-3P-3, SC-65-3
Тип ввода
Standard
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
80 A
Время обратного восстановления (trr)
60 ns
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
120 A
Пакет устройств поставщика
TO-3PN
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
Условия испытания
400V, 40A, 5Ohm, 15V
Мощность - Макс.
231 W
Переключение энергии
1.46mJ (on), 540µJ (off)
Заряд от ворот
173 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C
35ns/85ns
Рекомендуемые модели
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх