Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
БТИЗ
/
Одиночные IGBT
/
GT10G131(TE12L,Q)
GT10G131(TE12L,Q)
Модель:
GT10G131(TE12L,Q)
Категории товаров:
Одиночные IGBT
Бренд:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание:
IGBT 400V 1W 8-SOIC
Инкапсуляция:
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Материалы
Количество
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Surface Mount
Мощность - Макс.
1 W
Рабочая Температура
150°C (TJ)
Пакет/кейс
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Тип ввода
Standard
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
400 V
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
200 A
Пакет устройств поставщика
8-SOP (5.5x6.0)
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.3V @ 4V, 200A
Td (вкл/выкл) при 25°C
3.1µs/2µs
Рекомендуемые модели
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх