FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
GT10J312(Q)
Модель：
GT10J312(Q)
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Описание：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Мощность - Макс. 60 W
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 V
- Тип ввода Standard
- Время обратного восстановления (trr) 200 ns
- Пакет/кейс TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10 A
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 20 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
- Td (вкл/выкл) при 25°C 400ns/400ns
- Условия испытания 300V, 10A, 100Ohm, 15V
