FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
GT30J121(Q)
Модель：
GT30J121(Q)
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Описание：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 V
- Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
- Тип ввода Standard
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 60 A
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 30 A
- Пакет устройств поставщика TO-3P(N)
- Мощность - Макс. 170 W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
- Td (вкл/выкл) при 25°C 90ns/300ns
- Переключение энергии 1mJ (on), 800µJ (off)
- Условия испытания 300V, 30A, 24Ohm, 15V
