FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
GT50J121(Q)
Модель：
GT50J121(Q)
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Описание：
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 A
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 V
- Тип ввода Standard
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 100 A
- Мощность - Макс. 240 W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
- Пакет/кейс TO-3PL
- Переключение энергии 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
- Td (вкл/выкл) при 25°C 90ns/300ns
- Условия испытания 300V, 50A, 13Ohm, 15V
- Пакет устройств поставщика TO-3P(LH)
