FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
HS8K11TB
Модель：
HS8K11TB
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 8-UDFN Exposed Pad
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Мощность - Макс. 2W
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A, 11A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17.9mOhm @ 7A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.1nC @ 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 500pF @ 15V
- Пакет устройств поставщика HSML3030L10
