FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRF3546MTRPBF
Модель：
IRF3546MTRPBF
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41QFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 35µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 4.5V
- Конфигурация 4 N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A (Tc), 20A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 27A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1310pF @ 13V
- Пакет/кейс 41-PowerVFQFN
- Пакет устройств поставщика 41-PQFN (6x8)
