FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRFHM792TRPBF
Модель：
IRFHM792TRPBF
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.3A
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.3nC @ 10V
- Мощность - Макс. 2.3W
- Пакет устройств поставщика 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 10µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 251pF @ 25V
