FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRFHM8363TR2PBF
Модель：
IRFHM8363TR2PBF
Категории товаров：
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.35V @ 25µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1165pF @ 10V
- Мощность - Макс. 2.7W
- Пакет устройств поставщика 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
