FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRG7PH35UD1-EP
Модель：
IRG7PH35UD1-EP
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
IGBT 1200V 50A 179W TO247
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип БТИЗ Trench
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
- Тип ввода Standard
- Пакет/кейс TO-247-3
- Пакет устройств поставщика TO-247AD
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 150 A
- Условия испытания 600V, 20A, 10Ohm, 15V
- Заряд от ворот 130 nC
- Мощность - Макс. 179 W
- Переключение энергии 620µJ (off)
- Td (вкл/выкл) при 25°C -/160ns
