Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
БТИЗ
/
Одиночные IGBT
/
IRG7PH42UD1-EP
IRG7PH42UD1-EP
Модель:
IRG7PH42UD1-EP
Категории товаров:
Одиночные IGBT
Бренд:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
IGBT 1200V 85A COPAK247
Инкапсуляция:
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Материалы
Количество
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Through Hole
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип БТИЗ
Trench
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
1200 V
Тип ввода
Standard
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247AD
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
200 A
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
85 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Мощность - Макс.
313 W
Переключение энергии
1.21mJ (off)
Заряд от ворот
180 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C
-/270ns
Условия испытания
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Рекомендуемые модели
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх