FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRG7PSH50UDPBF
Модель：
IRG7PSH50UDPBF
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
IGBT TRENCH 1200V 116A TO274
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип БТИЗ Trench
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Тип ввода Standard
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 150 A
- Время обратного восстановления (trr) 190 ns
- Пакет/кейс TO-274AA
- Условия испытания 600V, 50A, 5Ohm, 15V
- Пакет устройств поставщика PG-TO274-3-903
- Мощность - Макс. 462 W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- Заряд от ворот 440 nC
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 116 A
- Переключение энергии 3.6mJ (on), 2.2mJ (off)
- Td (вкл/выкл) при 25°C 35ns/430ns
