FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IRG8P50N120KD-EPBF
Модель：
IRG8P50N120KD-EPBF
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Бренд：
IR (Infineon Technologies)
Описание：
IGBT 1200V 80A TO247AD
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 V
- Тип ввода Standard
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 80 A
- Пакет/кейс TO-247-3
- Пакет устройств поставщика TO-247AD
- Время обратного восстановления (trr) 170 ns
- Мощность - Макс. 350 W
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 105 A
- Условия испытания 600V, 35A, 5Ohm, 15V
- Заряд от ворот 315 nC
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
- Переключение энергии 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
- Td (вкл/выкл) при 25°C 35ns/190ns
