Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
БТИЗ
/
Одиночные IGBT
/
IXGK82N120B3
IXGK82N120B3
Модель:
IXGK82N120B3
Категории товаров:
Одиночные IGBT
Бренд:
Littelfuse / IXYS RF
Описание:
IGBT 1200V 230A 1250W TO264
Инкапсуляция:
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Количество
Запросить цену сейчас
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Through Hole
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
1200 V
Пакет/кейс
TO-264-3, TO-264AA
Тип ввода
Standard
Тип БТИЗ
PT
Мощность - Макс.
1250 W
Пакет устройств поставщика
TO-264 (IXGK)
Заряд от ворот
350 nC
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
230 A
Td (вкл/выкл) при 25°C
30ns/210ns
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
500 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 82A
Переключение энергии
5mJ (on), 3.3mJ (off)
Условия испытания
600V, 80A, 2Ohm, 15V
Рекомендуемые модели
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх