Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
БТИЗ
/
Одиночные IGBT
/
IXXH50N60C3D1
IXXH50N60C3D1
Модель:
IXXH50N60C3D1
Категории товаров:
Одиночные IGBT
Бренд:
Littelfuse / IXYS RF
Описание:
IGBT 600V 100A 600W TO247AD
Инкапсуляция:
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Количество
Запросить цену сейчас
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Through Hole
Мощность - Макс.
600 W
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Время обратного восстановления (trr)
25 ns
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
600 V
Тип ввода
Standard
Тип БТИЗ
PT
Пакет/кейс
TO-247-3
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
200 A
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
100 A
Пакет устройств поставщика
TO-247AD (IXXH)
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 36A
Переключение энергии
720µJ (on), 330µJ (off)
Заряд от ворот
64 nC
Td (вкл/выкл) при 25°C
24ns/62ns
Условия испытания
360V, 36A, 5Ohm, 15V
Рекомендуемые модели
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх