Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Russian
中文
English
Russian
Главная страница
Продукция
Основные бренды
Новости
Сервис и поддержка
О нас
Контакты
Главная страница
/
Центр продукции
/
Дискретные полупроводниковые изделия
/
Транзисторы
/
БТИЗ
/
Одиночные IGBT
/
IXXH60N65B4H1
IXXH60N65B4H1
Модель:
IXXH60N65B4H1
Категории товаров:
Одиночные IGBT
Бренд:
Littelfuse / IXYS RF
Описание:
IGBT 650V 116A 380W TO247AD
Инкапсуляция:
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Количество
Запросить цену сейчас
Добавить в запрос цены
Основные параметры
Тип монтажа
Through Hole
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Время обратного восстановления (trr)
150 ns
Тип ввода
Standard
Тип БТИЗ
PT
Пакет/кейс
TO-247-3
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)
650 V
Пакет устройств поставщика
TO-247AD (IXXH)
Мощность - Макс.
380 W
Заряд от ворот
95 nC
Ток-коллекторный импульсный (Icm)
230 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 60A
Условия испытания
400V, 60A, 5Ohm, 15V
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
116 A
Переключение энергии
3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (вкл/выкл) при 25°C
37ns/145ns
Рекомендуемые модели
FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH60T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGH40T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
FGA25S125P-SN00337
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRGS4715DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790PBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790DPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4790D-EPBF
IR (Infineon Technologies)
IRGP4760PBF
IR (Infineon Technologies)
3004073820 / 3004073823
86-13823752328
jack@hk-east.com
86-13823752328
Добавить в запрос цены
Наверх