FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IXXH80N65B4H1
Модель：
IXXH80N65B4H1
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Бренд：
Littelfuse / IXYS RF
Описание：
IGBT PT 650V 160A TO247AD
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Время обратного восстановления (trr) 150 ns
- Тип ввода Standard
- Тип БТИЗ PT
- Пакет/кейс TO-247-3
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
- Пакет устройств поставщика TO-247AD (IXXH)
- Мощность - Макс. 625 W
- Заряд от ворот 120 nC
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 160 A
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 430 A
- Условия испытания 400V, 80A, 3Ohm, 15V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
- Переключение энергии 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
- Td (вкл/выкл) при 25°C 38ns/120ns
