FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IXXX200N65B4
Модель：
IXXX200N65B4
Категории товаров：
Одиночные IGBT
Бренд：
Littelfuse / IXYS RF
Описание：
IGBT PT 650V 370A PLUS247-3
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип ввода Standard
- Тип БТИЗ PT
- Условия испытания 400V, 100A, 1Ohm, 15V
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
- Пакет устройств поставщика PLUS247™-3
- Пакет/кейс TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс. 1150 W
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 370 A
- Ток-коллекторный импульсный (Icm) 1000 A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 160A
- Переключение энергии 4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
- Заряд от ворот 553 nC
- Td (вкл/выкл) при 25°C 62ns/245ns
