MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
MRF8P20161HSR3
Модель：
MRF8P20161HSR3
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
RF MOSFET LDMOS 28V NI780
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Напряжение - Тест 28 V
- Напряжение - номинальное 65 V
- Технологии LDMOS
- Конфигурация Dual
- Текущий — Тест 550 mA
- Пакет/кейс NI-780S-4L
- Пакет устройств поставщика NI-780S-4L
- Частота 1.92GHz
- Прирост 16.4dB
- Выходная мощность 37W
