MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
MRFE6VP8600HSR6
Модель：
MRFE6VP8600HSR6
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Технологии LDMOS
- Конфигурация Dual
- Напряжение - Тест 50 V
- Пакет/кейс NI-1230S
- Пакет устройств поставщика NI-1230S
- Текущий — Тест 1.4 A
- Прирост 19.3dB
- Частота 860MHz
- Напряжение - номинальное 130 V
- Выходная мощность 125W
