MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
MRFG35003N6AT1
Модель：
MRFG35003N6AT1
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
RF MOSFET PHEMT FET 6V PLD-1.5
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Напряжение - номинальное 8 V
- Технологии pHEMT FET
- Частота 3.55GHz
- Пакет/кейс PLD-1.5
- Пакет устройств поставщика PLD-1.5
- Прирост 10dB
- Напряжение - Тест 6 V
- Текущий — Тест 180 mA
- Выходная мощность 450mW
