MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
MRFG35010R1
Модель：
MRFG35010R1
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
RF MOSFET PHEMT FET 12V NI360
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение - номинальное 15 V
- Технологии pHEMT FET
- Частота 3.55GHz
- Напряжение - Тест 12 V
- Прирост 10dB
- Выходная мощность 10W
- Текущий — Тест 180 mA
- Пакет/кейс NI-360HF
- Пакет устройств поставщика NI-360HF
