MRFE6VP6300GSR5
NXP Semiconductors
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NE3521M04-A
Модель：
NE3521M04-A
Категории товаров：
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Напряжение - номинальное 3 V
- Пакет/кейс 4-SMD, Flat Leads
- Конфигурация N-Channel
- Напряжение - Тест 2 V
- Текущий рейтинг (А) 15mA
- Технологии GaAs HJ-FET
- Прирост 10.5dB
- Частота 20GHz
- Коэффициент шума 0.85dB
- Текущий — Тест 6 mA
